Point defects in semiconductors /

Guardado en:
Detalles Bibliográficos
Autor principal: Lannoo, M. 1942-
Otros Autores: Bourgoin, J. 1938-
Formato: Libro
Lenguaje:
Publicado: Berlin : Springer, 1983.
Colección:Springer series in solid-state sciences ; 22, 35
Materias:
LEADER 01020cam#a2200289#a#4500
001 BCCAB000132
008 810417s19831983wb#a#####b####001#0#eng##
005 20100907144538.0
003 AR-BCCAB
245 1 0 |a Point defects in semiconductors /  |c M. Lannoo, J. Bourgoin. 
260 # # |a Berlin :  |b Springer,  |c 1983. 
300 # # |b il. ;  |c 24 cm. 
504 # # |a Incluye referencias bibliográficas e índice. 
505 0 # |a v. 2. Experimental aspects. 
490 0 # |a Springer series in solid-state sciences ;  |v 22, 35 
020 # # |a 0387115153 (U.S. : v. 2) 
100 1 # |a Lannoo, M.  |q (Michel),  |d 1942- 
700 1 # |a Bourgoin, J.  |q (Jacques),  |d 1938- 
080 # # |a 537.3 
650 # 0 |a Semiconductors  |x Defects. 
650 # 0 |a Point defects. 
650 # 7 |a Dispositivos semiconductores.  |2 inist 
650 # 7 |a Defectos puntuales.  |2 inist 
040 # # |a DLC  |c DLC  |d DLC  |b spa  |d arbccab 
500 # # |a Vol. 2 by J. Bourgoin, M. Lannoo, with a foreword by G.D. Watkins. 
942 # # |c BK 
952 # # |2 udc  |a ARBCCAB  |b ARBCCAB  |i 11773  |o 537.3 B66 Vol.2  |p 11773  |t 1  |y BK