Transport, correlation, and structural defects /

Guardado en:
Detalles Bibliográficos
Otros Autores: Fritzsche, Hellmut.
Formato: Libro
Lenguaje:
Publicado: Singapore ; Teaneck, N.J. : World Scientific, c1990.
Colección:Advances in disordered semiconductors ; v. 3
Materias:
LEADER 00885pam#a2200265#a#4500
008 901204s1990####si#a#####b####001#0#eng##
005 20051222083847.0
001 BCCAB004384
003 AR-BCCAB
245 1 0 |a Transport, correlation, and structural defects /  |c edited by Hellmut Fritzsche. 
260 # # |a Singapore ;  |a Teaneck, N.J. :  |b World Scientific,  |c c1990. 
300 # # |a x, 305 p. :  |b il. ;  |c 23 cm. 
020 # # |a 9971509733 
700 1 # |a Fritzsche, Hellmut. 
650 # 0 |a Semiconductors  |x Defects. 
650 # 0 |a Order-disorder models. 
010 # # |a ###90026281# 
050 0 0 |a QC611.6.D4  |b T73 1990 
490 1 # |a Advances in disordered semiconductors ;  |v v. 3 
504 # # |a Incluye referencias bibliográficas. 
040 # # |a DLC  |c DLC  |d DLC  |b spa  |d arbccab 
500 # # |a Incluye indices. 
082 0 0 |a 537.6/22  |2 20 
942 # # |c BK 
952 # # |2 udc  |a ARBCCAB  |b ARBCCAB  |i 18512  |o 539.213 F919  |p 18512  |t 1  |y BK