HPSP VI : proceedings of the 6th International Conference on High Pressure Semiconductor Physics, August 21-24, 1994, Vancouver, canada /

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Detalles Bibliográficos
Autor principal: International Conference on High Pressure Semiconductor Physics (6th : 1994 : Beijing, China)
Autor Corporativo: International Conference on High Pressure Semiconductor Physics
Otros Autores: Yu, Peter Y., ed., Paul, William, ed., Weinstein, Bernard A., ed.
Formato: Sin ejemplares
Lenguaje:
Publicado: Oxford : Pergamon, c1995.
Colección:Journal of physics and chemistry of solids 1995, v. 56, no. 3-4
Materias:
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245 1 0 |a HPSP VI :  |b proceedings of the 6th International Conference on High Pressure Semiconductor Physics, August 21-24, 1994, Vancouver, canada /  |c editors, Peter Y. Yu, William Paul [and] Bernard A. Weinstein. 
260 # # |a Oxford :  |b Pergamon,  |c c1995. 
300 # # |a p. 311-672 :  |b il. ;  |c 27 cm. 
504 # # |a Incluye referencias bibliográficas e índice. 
111 2 # |a International Conference on High Pressure Semiconductor Physics  |n (6th :  |d 1994 :  |c Beijing, China) 
080 # # |a 538.9:061.3 
650 # 0 |a Condensed matter  |v Congresses. 
650 # 7 |a Rango de presión mega pa 10-100  |2 inist 
650 # 7 |a Materiales semiconductores  |2 inist 
650 # 7 |a Semicondutors materials  |2 inist 
650 # 7 |a Pressure range mega pa 10-100  |2 inist 
650 # 7 |a Congresos.  |2 inist 
700 1 # |a Yu, Peter Y.,  |e ed.  |4 edt 
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700 1 # |a Weinstein, Bernard A.,  |e ed.  |4 edt 
490 1 # |a Journal of physics and chemistry of solids 1995,  |v v. 56, no. 3-4  |x 0022-3697 ; 
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