Hydrogen in semiconductors : bulk and surface properties /

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Detalles Bibliográficos
Autor principal:	Trieste IUPAP-ICTP Semiconductor Symposium on Hydrogen in semiconductors: Bulk and Surface Properties (6th : 1990 : Trieste, Italy)
Autor Corporativo:	Trieste IUPAP-ICTP Semiconductor Symposium on Hydrogen in semiconductors: Bulk and Surface Properties
Otros Autores:	Stutzmann, M., ed., Chevallier, J., ed., International Centre for theoretical Physics., International Union of Pure and Applied Physics.
Formato:	Sin ejemplares
Lenguaje:
Publicado:	Amsterdam : Elsevier, 1991.
Colección:	Physica B 1991, v. 170, no. 1-4
Materias:	Semiconductors > Congresses. Hydrogen Materiales semiconductores Congresos. Hidrogeno

Descripción
Notas:	Subtítulo: Proceedings of the Sixth Trieste IUPAP-ICTP Semiconductor Symposium. International Centre for Theoretical Physics, Trieste, Italy, 27-31 August 1990.
Descripción Física:	xvii, 581 p. : il. ; 27 cm.
Bibliografía:	Incluye referencias bibliográficas e índice.
ISSN:	0921-4526 ;

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