Druckabhängigkeit der elektronischen Bandstruktur und der optischen Egenschaften von Ge, GaAs und GaxIn1-xP /
Guardado en:
Autor principal: | Goñi, Alejandro R. |
---|---|
Otros Autores: | Cardona, M., Umbach, E., Universität Stuttgart zur Erlangung. Fakultät Physik, Max-Planck-Institut für Ferstkörperfschung. |
Formato: | Libro |
Lenguaje: | Alemán |
Publicado: |
1989.
|
Materias: |
Ejemplares similares
-
Physik und Technik der Halbleiter /
por: Seiler, Karl, 1910-
Publicado: (1964.) -
ISSH : proceedings of the International Symposium on Si Heterostructures : from Physics to Devices, Heraklion, Crete, Greece, September 11-14, 1995 /
por: International Symposium on Si Heterostructures: from Physics to Devices (1995 : Heraklion, Greece)
Publicado: (1996.) -
Isobaric nuclei with the mass number A=73 /
por: Grigorʹev, Evgenii Petrovich.
Publicado: (1963.) -
Diseño molecular asistido por computadora aplicación al diseño de cúmulos mixtos de silicio-germanio /
por: Gómez, Zeferino., et al.
Publicado: (2007) -
Evaporación de Ge sobre la superficie Al(111) : germaneno vs. aleación Ge-Al /
por: Martínez, Emanuel A.
Publicado: (2018.)