Aleaciones semiconductoras con GAP ajustable : estructura electrónica de Ge_1-xSn_x /

Aleaciones semiconductoras con GAP ajustable : estructura electrónica de Ge_1-xSn_x /

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Main Author: Querales Flores, José D.
Other Authors: Ventura, Cecilia I., Barrio, Rafael., Universidad Nacional de Cuyo. Instituto Balseiro
Format: Libro
Language:Español
Published: 2010.
Subjects:
Alloys > Theses.
Electronic structure > Theses.
Aleaciones > Tesis.
Estructura electrónica > Tesis.
GeSn
Direct GAP
GAP directo
Non-substitutional defects
Defectos no-sustitucionales
Online Access:Indice.

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Instituto Balseiro

InventarioEj.UbicaciónDisponibilidadEstado de Circulación
21667 1 T.M. [043]53 2010 Q35 Ej.CONSULTA RESTRINGIDA Sala Disponible

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