Aleaciones semiconductoras con GAP ajustable : estructura electrónica de Ge_1-xSn_x /

Aleaciones semiconductoras con GAP ajustable : estructura electrónica de Ge_1-xSn_x /

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Detalles Bibliográficos
Autor principal:	Querales Flores, José D.
Otros Autores:	Ventura, Cecilia I., Barrio, Rafael., Universidad Nacional de Cuyo. Instituto Balseiro
Formato:	Libro
Lenguaje:	Español
Publicado:	2010.
Materias:	Alloys > Theses. Electronic structure > Theses. Aleaciones > Tesis. Estructura electrónica > Tesis. GeSn Direct GAP GAP directo Non-substitutional defects Defectos no-sustitucionales
Acceso en línea:	Indice.

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