Aleaciones semiconductoras con GAP ajustable : estructura electrónica de Ge_1-xSn_x /

Aleaciones semiconductoras con GAP ajustable : estructura electrónica de Ge_1-xSn_x /

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Detalles Bibliográficos
Autor principal: Querales Flores, José D.
Otros Autores: Ventura, Cecilia I., Barrio, Rafael., Universidad Nacional de Cuyo. Instituto Balseiro
Formato: Libro
Lenguaje:Español
Publicado: 2010.
Materias:
Alloys > Theses.
Electronic structure > Theses.
Aleaciones > Tesis.
Estructura electrónica > Tesis.
GeSn
Direct GAP
GAP directo
Non-substitutional defects
Defectos no-sustitucionales
Acceso en línea:Indice.

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Instituto Balseiro

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21667 1 T.M. [043]53 2010 Q35 Ej.CONSULTA RESTRINGIDA Sala Disponible

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